3S6V40TG8
製品の特徴
- DDR3-1333
- 4GB
- Unbuffered
- NON-ECC
- 2（Dual Rank）
- 1.5V
製品ラインアップ
| 製品型番 | 容量 | キット構成 |
|---|---|---|
| 3S6V40TG8 | 4GB | 1枚 |
製品詳細
| 規格 | DDR3-1333/PC3-10600 204-pin SODIMM |
|---|---|
| バッファー | Unbuffered |
| 動作電圧 | 1.5V |
| エラー訂正 | NON-ECC |
| レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS：9-9-9-24 |
| DRAM構成 | 2Gbit (256M x 8bit) x 16pcs |
| RANK | 2（Dual Rank） |
| 外形寸法 | 幅：67.6 mm x 高さ：30 mm |
| 生産状況 | 生産中 |
※製品の仕様は予告なく変更されることがあります。 ※製品写真は参考画像で実際と異なる場合があります。 MOQ：100枚〜お客様向け