426R61SG81VL・B426R61SG81
| 規格 | DDR4-2666/PC4-21300 288-pin DIMM |
|---|---|
| バッファー | Registered |
| 動作電圧 | 1.2V |
| エラー訂正 | ECC |
| レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS：19-19-19-43 |
| DRAM構成 | 16Gbit (2048M x 8bit) x 9pcs |
| RANK | 1 |
※製品の仕様は予告なく変更することがあります。
| 規格 | DDR4-2666/PC4-21300 288-pin DIMM |
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| バッファー | Registered |
| 動作電圧 | 1.2V |
| エラー訂正 | ECC |
| レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS：19-19-19-43 |
| DRAM構成 | 16Gbit (2048M x 8bit) x 9pcs |
| RANK | 1 |
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