429V61EG8・B429V61EG8
規格 | DDR4-2933/PC4-23400 288-pin DIMM |
---|---|
バッファー | Unbuffered |
動作電圧 | 1.2V |
エラー訂正 | ECC |
レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS:21-21-21-47 |
DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 18pcs |
RANK | 2 |
外形寸法 | 幅:133.35 mm x 高さ:31.25 mm |
※製品の仕様は予告なく変更することがあります。
規格 | DDR4-2933/PC4-23400 288-pin DIMM |
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バッファー | Unbuffered |
動作電圧 | 1.2V |
エラー訂正 | ECC |
レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS:21-21-21-47 |
DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 18pcs |
RANK | 2 |
外形寸法 | 幅:133.35 mm x 高さ:31.25 mm |