リテールメモリーモジュール

4S26V80EG8・B4S26V80EG8

規格DDR4-2666/PC4-21300 260-pin SODIMM
バッファーUnbuffered
動作電圧1.2V
エラー訂正NON-ECC
レイテンシーCL-tRCD-tRP-tRAS:19-19-19-43
DRAM構成8Gbit (1024M x 8bit) x 8pcs
RANK1
外形寸法幅:69.60 mm x 高さ:30.00 mm
※製品の仕様は予告なく変更することがあります。
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